- 速度快的惊人 三星256GB固态硬盘实测
- 帖子创建时间:2009-04-21 评论:1 浏览:1090
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去年11月,三星续东芝、美光后宣布开始量产**容
量*大的256GB固 态硬盘,(《读写均*200MB/ s 三星发布256GB固 》)当时官方标称的读态盘 写速度均*过200M B/s。 三星这款256GB固态硬盘的型号为MMDOE5
6G5MXP-0VB ,仍然采用MLC NAND颗粒,采用三星自行研发的控制芯片, 能够提高读写速度和起 到节能的作用。产品实 体为金属材质,厚度为 9.5mm,体重82 .5g,采用标准SATA II 3.0Gbps接口, 和目前现有的2.5吋 硬碟式硬盘相兼容。 目前*高规格的固态硬盘:三星MMDOE56G5M
XP-0VB 测试过程里发现三星MMDOE56G5M
XP-0VB有着非常 快的访问速度,基本上 和Intel「X25-E Extreme SATA SSD」、OCZ的「Apex」相接近 ,前者采用SLC NAND颗粒而后者为 MLC NAND内部RIAD 0方案。 ● 基板构造,NAND芯
片打磨了 三星MMDOE56G5M
XP-0VB基板的正 反面一共有18颗芯片 ,其中正面由6颗ML C NAND颗粒、1颗控 制芯片和1颗缓存芯片 组成,背面则是清一色 的10颗MLC NAND颗粒。 其中主控芯片
的型号为「S3C29 RBB01-YK40 」,缓存也是三星自家的1GbitDD R SDRAM「K4X1 G323PD-8GC 6」,但是MLC NAND颗粒表面则被 打磨了。 由16颗NAND闪存
组成256GB容量, 那么每颗MLC NAND闪存的单片容 量应该是128Gbi t。三星官方128Gbit NAND闪存只有一款 ,那就是「K9MDG 08U5M」,当然M MDOE56G5MX P-0VB是否采用这 款NAND闪存也不能 肯定。 - 文章标签:
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szleoshao 2009-04-21楼 0踩 0赞 回复 引用
去年11月,三星续东芝、美光后宣布开始量产**容
量*大的256GB固 态硬盘,(《读写均*200MB/ s 三星发布256GB固 》)当时官方标称的读态盘 写速度均*过200M B/s。 三星这款256GB固态硬盘的型号为MMDOE5
6G5MXP-0VB ,仍然采用MLC NAND颗粒,采用三星自行研发的控制芯片, 能够提高读写速度和起 到节能的作用。产品实 体为金属材质,厚度为 9.5mm,体重82 .5g,采用标准SATA II 3.0Gbps接口, 和目前现有的2.5吋 硬碟式硬盘相兼容。 目前*高规格的固态硬盘:三星MMDOE56G5M
XP-0VB 测试过程里发现三星MMDOE56G5M
XP-0VB有着非常 快的访问速度,基本上 和Intel「X25-E Extreme SATA SSD」、OCZ的「Apex」相接近 ,前者采用SLC NAND颗粒而后者为 MLC NAND内部RIAD 0方案。 ● 基板构造,NAND芯
片打磨了 三星MMDOE56G5M
XP-0VB基板的正 反面一共有18颗芯片 ,其中正面由6颗ML C NAND颗粒、1颗控 制芯片和1颗缓存芯片 组成,背面则是清一色 的10颗MLC NAND颗粒。 其中主控芯片
的型号为「S3C29 RBB01-YK40 」,缓存也是三星自家的1GbitDD R SDRAM「K4X1 G323PD-8GC 6」,但是MLC NAND颗粒表面则被 打磨了。 由16颗NAND闪存
组成256GB容量, 那么每颗MLC NAND闪存的单片容 量应该是128Gbi t。三星官方128Gbit NAND闪存只有一款 ,那就是「K9MDG 08U5M」,当然M MDOE56G5MX P-0VB是否采用这 款NAND闪存也不能 肯定。