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  • 静电的危害2
  • 帖子创建时间:2008-07-19  评论:1   浏览:750
  • C.影响产品质量 SQ8安规与电磁兼容网9KE安规与电磁兼容网
        在电子元器件制造电影胶片印制过程中,静电放电会使其发生意外故障或疵病而达不到质量标准。 SQ8安规与电磁兼容网9KE安规与电磁兼容网
    D.影响正常生产 SQ8安规与电磁兼容网9KE安规与电磁兼容网
       在纺织、印刷胶片、造纸等工业生产中,纤维、纸张、胶片等会因静电而粘连一起给生产带来麻烦。 SQ8安规与电磁兼容网9KE安规与电磁兼容网
    E.对人体造成电击不适感甚至引发次生事故 SQ8安规与电磁兼容网9KE安规与电磁兼容网
       人体静电放电会使人有电震电麻感觉,若此人此时处在高位或接触危险品就可能引发次生事故。目前防静电安全技术越来越受到各国的重视! 
    9KE安规与电磁兼容网

    半导体和IC生产线上的静电及其危害 SQ8安规与电磁兼容网9KE安规与电磁兼容网
    SQ8安规与电磁兼容网9KE安规与电磁兼容网
    ①穿着尼龙衣、塑胶基底鞋缓慢在清洁地板上走动,人身会带7KV-8KV电压。
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    ②玻璃纤维制成的晶体载料盒滑过聚丙烯桌面时,易产生10KV静电。
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    ③晶片装配线:晶片5KV,晶片装料盒35KV,工作服10KV,桌面10KV,**玻璃盖8KV,石英晶体1.5KV,晶片托盘6KV
    SQ8安规与电磁兼容网9KE安规与电磁兼容网
    ④光刻间塑料地面500V-1000V,金属网格地面也是500V-1000V,扩散间塑料地面500V-1500V瓷砖地面也是500V-1500V,塑料墙面约700V,塑料顶棚0-1000V,铝板送风口,回风口500V-1000V,金属活动皮革椅面500V-3000V
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    2)半导体和IC生产线上的静电危害
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    ①静电库仑力的危害:静电库仑国作用下吸附的粉尘、污物,可能带给元器件,从而增大泄露或造成短路,使性能受损,成品率大大下降。如粉尘粒径〉100微米,铝线宽度约100微米,薄膜厚度在50微米以下时,*易使产品报废,这种情形多发生在腐蚀清洗、光刻、点焊和封装等工艺过程中。
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    ②静电放电引起的危害:如有数千、数万伏的高电位物体发生脉冲刷形放电或火花放电时,瞬间会有很高的放电电流流向大地时,形成脉冲状的电流峰位在20A,造成可观的影响,静电放电(ESD)还伴随着电磁波发射,会引起种种危害。
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    A
    MOSIC等半导体器件将被静电放电(ESD)击穿或半击穿。
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    MOS
    场效应管其栅*是从氧化膜引出,栅*与衬底间是隔着一层氧化膜,当栅*与衬底间的电压*过一定值,氧化膜便被击穿,如果MOSIC,则全部报废了当施加电压于天UB=50-100V,氧化膜便会被击穿,因为栅*电容很小(约几个微微法),输入阻搞很高(约1014Ω以上),这样,少量的电荷就会产生很高电压,电荷也很难汇漏,只要大于

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  • whq2005  2008-07-19

    C.影响产品质量 SQ8安规与电磁兼容网9KE安规与电磁兼容网
        在电子元器件制造电影胶片印制过程中,静电放电会使其发生意外故障或疵病而达不到质量标准。 SQ8安规与电磁兼容网9KE安规与电磁兼容网
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       在纺织、印刷胶片、造纸等工业生产中,纤维、纸张、胶片等会因静电而粘连一起给生产带来麻烦。 SQ8安规与电磁兼容网9KE安规与电磁兼容网
    E.对人体造成电击不适感甚至引发次生事故 SQ8安规与电磁兼容网9KE安规与电磁兼容网
       人体静电放电会使人有电震电麻感觉,若此人此时处在高位或接触危险品就可能引发次生事故。目前防静电安全技术越来越受到各国的重视! 
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    ①穿着尼龙衣、塑胶基底鞋缓慢在清洁地板上走动,人身会带7KV-8KV电压。
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    ②玻璃纤维制成的晶体载料盒滑过聚丙烯桌面时,易产生10KV静电。
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    ③晶片装配线:晶片5KV,晶片装料盒35KV,工作服10KV,桌面10KV,**玻璃盖8KV,石英晶体1.5KV,晶片托盘6KV
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    ④光刻间塑料地面500V-1000V,金属网格地面也是500V-1000V,扩散间塑料地面500V-1500V瓷砖地面也是500V-1500V,塑料墙面约700V,塑料顶棚0-1000V,铝板送风口,回风口500V-1000V,金属活动皮革椅面500V-3000V
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    2)半导体和IC生产线上的静电危害
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    ①静电库仑力的危害:静电库仑国作用下吸附的粉尘、污物,可能带给元器件,从而增大泄露或造成短路,使性能受损,成品率大大下降。如粉尘粒径〉100微米,铝线宽度约100微米,薄膜厚度在50微米以下时,*易使产品报废,这种情形多发生在腐蚀清洗、光刻、点焊和封装等工艺过程中。
    SQ8安规与电磁兼容网9KE安规与电磁兼容网
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    ②静电放电引起的危害:如有数千、数万伏的高电位物体发生脉冲刷形放电或火花放电时,瞬间会有很高的放电电流流向大地时,形成脉冲状的电流峰位在20A,造成可观的影响,静电放电(ESD)还伴随着电磁波发射,会引起种种危害。
    SQ8安规与电磁兼容网9KE安规与电磁兼容网
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    A
    MOSIC等半导体器件将被静电放电(ESD)击穿或半击穿。
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    MOS
    场效应管其栅*是从氧化膜引出,栅*与衬底间是隔着一层氧化膜,当栅*与衬底间的电压*过一定值,氧化膜便被击穿,如果MOSIC,则全部报废了当施加电压于天UB=50-100V,氧化膜便会被击穿,因为栅*电容很小(约几个微微法),输入阻搞很高(约1014Ω以上),这样,少量的电荷就会产生很高电压,电荷也很难汇漏,只要大于

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